FMUSER MRFE6VP5150N RF Pouvwa LDMOS Transistè Segondè fòs N - Chanjman Amelyorasyon - Mode Lateral MOSFETs Transistor-RF Transistor-FMUSER FM / TV Broadcast One-Stop founisè

FMUSER MRFE6VP5150N RF Pouvwa LDMOS Tranzistò Segondè Rezistans N - Mòd Amelyorasyon Chèn MOSFETs Lateral Transistor Deskripsyon Aparèy sa yo rezistans segondè yo fèt pou itilize nan segondè VSWR endistriyèl (ki gen ladan lazè ak plasma exciters), emisyon (analòg ak dijital), ayewospasyal ak radyo / peyi aplikasyon mobil. Yo se opinyon depaman ak desen pwodiksyon ki pèmèt lajè frekans itilizasyon ranje, ant 1.8 ak 600 megaèrts. Pèfòmans tipik: VDD = 50 Vdc Paramèt Valè ● Frekans (Min) (Megaèrts): 1.8 ● Frekans (Max) (Megaèrts): 600 ● Pwovizyon pou Voltage (Typ) (V): 50 ● P1dB (Typ) (dBm): 51.8 ● P1dB (Typ) (W): 150 ● Pouvwa Sòti (Typ) (W) @ Nivo entèmodilasyon nan siyal tès la: CW @

Detay

Previous:FMUSER Original SD2941-10 HF / VHF / UHF MOSFETs N-chanèl MOS jaden-efè Broadband RF pouvwa jaden-efè tranzistò

Next:FMUSER Original BLF888A 600W 50V UHF pouvwa LDMOS RF pouvwa tranzistò

Pri (USD)	Kte (PCS)	Shipping (USD)	Total (USD)	Shipping Metòd	Peman
126	1	0	126	DHL
				DHL

FMUSER MRFE6VP5150N RF Power LDMOS Transistors High Ruggedness N - Channel Amelyorasyon Mode Lateral MOSFETs Transistor

Deskripsyon

Aparèy segondè sa yo fèt pou itilize nan VSWR segondè endistriyèl (ki gen ladan lazè ak exciters plasma), difizyon (analòg ak dijital), Aewospasyal ak aplikasyon pou mobil radyo / peyi Yo se depaman depaman ak desen pwodiksyon ki pèmèt lajè itilizasyon ranje frekans, ant 1.8 ak NAN MHz.

Tipik pèfòmans: VDD = 50 Vdc

Paramèt Valè
● Frekans (Min) (MHz): 1.8
● Frekans (Max) (MHz): 600
● Pwovizyon pou Voltage (Tip) (V): 50
● P1dB (tip) (dBm): 51.8
● P1dB (Tip) (W): 150
● Pouvwa Sòti (Tip) (W) @ Nivo Intermodulation nan siyal egzamen: CW @ 150.0
● Siyal tès: CW
● Pouvwa akeri (tip) (dB) @ f (megaèrts): 230 26.3 @
● Efikasite (Tip) (%): 72
● Rezistans tèmik (Spec) (℃ / W): 0.21
● Matche: inegal
● Gwoup: AB
● Mouri Teknoloji: LDMOS