FMUSER 1pcs Original New MRF6VP3450H Lateral N-Channel Broadband RF Power MOSFET Transistor-RF Transistor-FMUSER FM / TV Broadcast One-Stop Supplier

FMUSER 1pcs Original New MRF6VP3450H Lateral N-Channel Broadband RF Power MOSFET Transistor Description: Designed for broadband commercial and industrial applications with frequencies from 470 to 860 MHz. Benefis segondè yo ak pèfòmans bande nan aparèy sa yo fè yo ideyal pou gwo - siyal, komen - aplikasyon pou anplifikatè sous nan 50 volt analòg oswa dijital ekipman transmetè televizyon. --Tipik DVB - T OFDM Pèfòmans: --VDD = 50 Volts, IDQ = 1400 mA, --Pout = 90 Watts Anviwon., F = 860 MHz, 8K Mode, 64 QAM - Pouvwa Akeri ： 22.5 dB - Efikasite drenaj ： 28% - ACPR @ 4 MHz Offset —— 62 dBc @ 4 kHz Bandwidth —Typical Broadband De - Tone Performance: --VDD = 50 Volts, IDQ = 1400 mA, - Po

Detay

Previous:FUMSER Original MRF154 Radyo Frekans Metal Oksid Semiconductor Jaden Efè Transistor

Next:FMUSER 1pcs Original New MRF317 RF TRANSISTOR, BROADBAND RF POWER TRANSISTOR

Pri (USD)	Kte (PCS)	Shipping (USD)	Total (USD)	Shipping Metòd	Peman
215	1	0	215	DHL
				DHL

FMUSER 1pcs Original New MRF6VP3450H Lateral N-Channel Broadband RF Power MOSFET Transistor

Deskripsyon:
Ki fèt pou bande aplikasyon komèsyal ak endistriyèl ak frekans soti nan 470 a 860 megaèrts. Benefis nan segondè, epi pèfòmans bande nan aparèy sa yo fè yo ideyal pou gwo - siyal, komen - aplikasyon pou anplifikatè sous nan 50 volt ekipman transmetè analòg oswa dijital televizyon.

--Tipik DVB - T OFDM Pèfòmans:
--VDD = 50 Volts, IDQ = 1400 mA,
--Pout = 90 Watts $, f = 860 MHz, Mode 8K, 64 QAM
--Pouvwa Akeri ： 22.5 dB
--Efikasite drenaj: 28%
--ACPR @ 4 MHz Offset —— 62 dBc @ 4 kHz Bandwidth

--Tipik bande de - ton pèfòmans:
--VDD = 50 Volts, IDQ = 1400 mA,
--Pout = 450 Watts PEP, f = 470-860 MHz
--Pouvwa Akeri ： 22 dB
--Efikasite drenaj: 44%
--IM3 ： -29 dBc

--Kapab manyen 10: 1 VSWR, tout faz faz, @ 50 Vdc, 860 MHz: 450 Watts CW
--90 Watt Anviwon. (DVB - T OFDM Siyal, 10 dB PAR, 7.61 MHz Chèn Bandwidth)

Features:
--Karakterize ak Seri ekivalan Gwo - Paramèt enpedans siyal
--Anndan Antre Matche pou fasilite pou itilize
--Kalifye jiska yon maksimòm de operasyon VDD 50
--Entegre Integrated ESD Pwoteksyon
--Ki fèt pou Pouse - Rale Operasyon

--Greater Negative Gate - Sous Voltage Range pou amelyore klas C operasyon

--RoHS Konfòm
--Nan Tep ak bobine. R6 Sifiks = 150 Inite pou chak 56 mm, NAN pous bobine.
--R5 Sifiks = 50 Inite pou chak 56 mm, NAN pous bobine.

Pake gen ladan:

1 * MRF6VP3450H tranzistò