FMUSER Original New MRF6VP11KH RF Power Transistor Power MOSFET Transistor-RF Transistor-FMUSER FM / TV Broadcast One-Stop Supplier

FMUSER Original New MRF6VP11KH RF Power Transistor Power MOSFET Transistor FMUSER MRF6VP11KHR6 fèt sitou pou aplikasyon pou lajè enpulsyonèl ak frekans jiska 150 MHz. Aparèy se inegal ak apwopriye pou itilize nan aplikasyon endistriyèl, medikal ak syantifik. Karakteristik Pèfòmans tipik enpulsyonèl nan 130 megaèrts: VDD = 50 Volts, IDQ = 150 mA, Pout = 1000 Watts Peak (200 W Avg.), Pulse Lajè = 100 µsec, Sik Devwa = 20% Pouvwa Akeri: 26 dB Efikasite drenaj: 71 Kapab manyen 10: 1 VSWR, @ 50 Vdc, 130 megaèrts, 1000 Watts Peak pouvwa karakterize ak Seri ekivalan Gwo-siyal enpedans paramèt CW operasyon kapasite ak refwadisman apwopriye kalifye jiska yon maksimòm de 50 VDD operasyon entegre Integrated ESD Pwoteje

Detay

Previous:FMUSER Original New D1029UK RF Power Transistor Power MOSFET Transistor Dual N-Channel MOSFET, 35 A, 70 V, 5-PIN DR D1029UK

Next:FMUSER orijinal nouvo MRF6V2150NB SMD RF pouvwa tranzistò tib segondè frekans tib pouvwa anplifikasyon modil pouvwa MOSFET tranzistò

Pri (USD)	Kte (PCS)	Shipping (USD)	Total (USD)	Shipping Metòd	Peman
215	1	0	215	DHL
				DHL

FMUSER orijinal nouvo MRF6VP11KH RF pouvwa tranzistò pouvwa MOSFET tranzistò

FMUSER MRF6VP11KHR6 fèt sitou pou aplikasyon pou lajè enpulsyonèl ak frekans jiska 150 megaèrts. Aparèy se inegal ak apwopriye pou itilize nan aplikasyon endistriyèl, medikal ak syantifik.

karakteristik

Pèfòmans tipik enpulsyonèl nan 130 megaèrts: VDD = 50 Volts, IDQ = 150 mA, Pout = 1000 Watts Peak (200 W Avg.), Pulse Lajè = 100 µsec, Sik Devwa = 20%
Akeri pouvwa: 26 dB
Drenaj Efikasite:% 71
Kapab pou manipile NAN: 10 VSWR, @ 1 Vdc, 50 MHz, 130 Watts pouvwa Peak
Karakterize ak ekivalan ekivalan gwo-siyal impedans paramèt
CW Operasyon Kapasite ak Refwadisman Adekwa
Kalifye jiska yon maksimòm de operasyon VDD 50
Entegre Integrated ESD Pwoteksyon
Fèt pou operasyon pouse-rale
Pi gwo Negatif Gate-Sous Voltage Range pou Operasyon Gwoup C amelyore
RoHS Konfòm
Nan kasèt ak bobine. R6 Sifiks = 150 Inite pou chak 56 mm, 13 pous Bobine

Spesifikasyon

Kalite tranzistò: LDMOS
Teknoloji: Si
Aplikasyon endistri: ISM, Emisyon
Aplikasyon: Syantifik, Medikal
CW / batman kè: CW
Frekans: 1.8 a 150 megaèrts
Pouvwa: 53.01 dBm
Pouvwa (W): 199.99 W
P1dB: 60.57dBm
Peak Sòti Pouvwa: 1000 W.
Lajè enpulsyonèl: 100 nou
Duty_Cycle: 0.2
Pouvwa genyen (Gp): 24 a 26 dB
Retounen Antre: Pèt: -16 a -9 dB
VSWR: 10.00: 1
Polarite: N-Chèn
Pwovizyon pou Voltage: 50 V.
Limit Voltage: 1 a 3 Vdc
Pann Voltage- Drenaj-Sous: 110 V
Voltage - Gate-Sous: (Vgs): - 6 a 10 Vdc
Efikasite drenaj: 0.71
Drenaj Kouran: 150 mA
Enpedans Zs: 50 Ohms
Rezistans tèmik: 0.03 ° C / W
Pake: Kalite: bride
Pake: CASE375D - 05 STYLE 1 NI - 1230-4
RoHS: Wi
Tanperati opere: 150 degre C.
Tanperati Depo: -65 a 150 Degre C.